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技術交流掲示板
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[2264] パワーデバイスの欠陥評価 2011-12-01 19:48:29
お名前 : 常陸の国の住人 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
最近、我が社でも、SiCやGaNの研究を進めておりますが、
基板のSiCやGaNの品質により、歩留まりが大きく変わります。
基板の欠陥の影響が大きいと感じているのですが、
基板の欠陥密度の評価方法や、欠陥密度と電気的特性の
関係を調べる方法を探しています。
また、シミュレーターでの検証も検討しています。
評価方法と、シミュレーションモデルに関する情報を
教えていただければありがたい思っています。
よろしくお願いいたします。
 
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[2265] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2011-12-05 09:35:26
お名前 : 通りがかりの者 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
基板であれば、フォトルミネッセンス法による結晶欠陥の測定はいかがでしょうか?
 
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[2266] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2011-12-06 18:06:24
お名前 : パワーデバイス勉強中 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
 ルミネッセンス法としてはカソードルミネッセンス(CL)もありますが、今回の評価の場合にはフォトルミネッセンスかCLかどちらが適しているのでしょうか?

 また、高分解能TEMで評価できるものなのでしょうか?
 
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[2267] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2011-12-13 21:54:55
お名前 : yy [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
京都工芸繊維大学の一色先生の報告資料
http://www.liaison.kit.ac.jp/upload/10Isshiki-ekotoron.pdf
に熔融KOH法でSiCの結晶欠陥を評価された結果が掲載されています。

 溶融KOHにつぃては、この掲示板の
http://www.tsc-web.jp/forum/index.html?mode=viewmain&l=1&p=2&no=529&no2=529&s=1
に詳しい説明があります。
 
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[2268] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2011-12-26 17:30:21
お名前 : 窒化物 [メール] [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
私はGaNの光学特性を研究している者です。GaN基板の品質は低温のPLスペクトルと反射スペクトル測定を行うことでけっこうわかると思います。ここで「欠陥」とおっしゃるものが転位なのか点欠陥なのか、にもよりますが。。
 
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[2269] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2011-12-28 10:43:02
お名前 : GaN勉強中 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
窒化物様
 低温のPLスペクトルとありますが、何度程度まで冷却するのでしょうか。また、参考となる文献などがありましたらお教え下さい。
 
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[2270] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2012-01-05 20:43:51
お名前 : 窒化物 [メール] [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
GaN勉強中さま

> 低温のPLスペクトルとありますが、何度程度まで冷却するのでしょうか。

10K程度以下の極低温をイメージして書きました。極低温にすると、浅い不純物準位に関係する発光も見える
ようになるからです。
GaNの低温PLに関する論文はたくさんあると思います
が、必ずしもすべての記述が正しいような気がしま
せんので、いろいろな面からの確認が必要かと
思います。たとえば、JOURNAL OF APPLIED
PHYSICS 97, 061301 (2005)にはかなり詳しく
いろんなことが書かれていますので、参考になるか
と思います。


 
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[2271] Re:パワーデバイスの欠陥評価 2012-01-07 20:33:21
お名前 : GaN勉強中 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
窒化物様

 ご紹介頂いた文献は95ページもありますが、少しずつでも読んでいこうと思います。今後もよろしくお願いします。
 
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