この掲示板にも結晶の応力は記載されていますが、アモルファス膜の応力はどのように評価できるのでしょうか。パターンのない試料ならばウエハのソリで評価できますが、パターンのある試料では測定できないと思います。
　SiO2膜はCLで評価できるようですが(http://www.nedo.go.jp/kankobutsu/focus/23/2-4.pdf)、SiN膜やアモルファスSi膜などもCLで測定できるのでしょうか。また他の評価手法はないのでしょうか。

アモルファス系の材料の応力評価ですが、まずアモルファス材料の0応力状態がわかればラマン分光などでも可能かもしれません。ただし、アモルファスシリコンのラマンスペクトルは結晶に比べてかなりブロードになり、応力によるピークシフト変化などを正確に捉えることは難しくなります。基本的には困難と言えると思います。
また、一般に半導体デバイスに用いられるようなSiN系の膜はCLスペクトル強度が極めて弱いために（薄膜であることとアモルファス系であること）、応力起因と思われるピークシフト変化を捉えることはSiO2以上に困難です。また、アモルファスシリコンも上記と同じように難しいと思われます。

応力が変われば格子振動が変化するので、FTIRで評価できないのでしょうか。そのようなデータを見たことがないので評価できないのではと思うのですが、FTIRでは原理的に測定できないのでしょうか。それともＦＴＩＲの測定精度が不十分なのでしょうか。

格子間の距離でしたＸＡＦＳでは測定できないのでしょか。ＸＡＦＳでの測定精度はどの程度なのでしょうか？

FTIRでは、光が透過した領域全ての情報を拾ってしまうので、局所応力の測定には不向きではないかと思います。また、アモルファス膜の応力測定では、そもそも、信号がブロードなため、波数シフトが測定しにくく、さらには、波数シフトの原因がなんなのかを特定するのが困難なので、応力測定に適用するのは難しいかと思います。
同様に、XAFSにおいても、平均的な格子間距離を測定することができますが、この値が膜によって違っていたとしても、その原因が何によるのか（組成の違いなのか、構造の違いなのか等）が分からないと、応力評価にはもっていけないので、こちらも難しいのではないでしょうか。