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[2252] GaNの結晶欠陥 2012-01-21 14:56:01
お名前 : プロセス担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
GaN結晶では結晶欠陥の種類によって電気特性への影響に違いがあるようなのですが、どのような結晶欠陥の影響が大きいのでしょうか?また、結晶欠陥の種類を見分けるには、どのような手法はあるのでしょうか。
 
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[2253] Re:GaNの結晶欠陥 2012-01-25 09:48:17
お名前 : chikutak [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
 GaN結晶中の欠陥の種類で、一般的によく言われているのは、刃状転位、らせん転位とそれらが混合したものです。欠陥の種類と密度の両方が電気特性に影響を与えており、どれが影響を与えているかを特定するのはなかなか難しいです。
 また調べる電気特性が、n形かp形かによっても異なります。
 きちんと調べるには、TEM観察をしたり、移動度の温度特性を調べたりすることになります。
 簡単に結晶欠陥の種類を調べる方法は、まだ確立されていないと思います。NaOHやりん酸を用いて表面をすこしエッチングすれば、エッチピットという小さな穴ができます。らせん転移があるとエッチピットが発生しやすいのです。
>GaN結晶では結晶欠陥の種類によって電気特性への影響に違いがあるようなのですが、どのような結晶欠陥の影響が大きいのでしょうか?また、結晶欠陥の種類を見分けるには、どのような手法はあるのでしょうか。
 
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[2254] Re:GaNの結晶欠陥 2012-01-26 10:37:05
お名前 : プロセス担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
chikutakさん
 ありがとうございます。やはり欠陥の種別はTEMですか。TEMではめんどうですね。
 
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[2255] Re:GaNの結晶欠陥 2012-01-26 23:48:53
お名前 : 解析担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
 下記ではSTEMでの結晶欠陥が報告されています。
http://www.csmantech.org/Digests/2011/papers/6b.3.pdf
自分自身で評価したことはないですが、TEMと同様に薄膜試料が必要ですが、STEMの方が観察は楽ではないかと思います。

 
 
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[2256] Re:GaNの結晶欠陥 2012-01-28 10:05:17
お名前 : TEM担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
http://www.eaglabs.com/files/appnotes/AN463.pdfにSTEMで欠陥の種別を結果があります。このようにSTEMでもTEMと同様に欠陥の種別を評価できるのでしょうか。
 
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