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[2057] 組成式での小数 2011-02-08 10:51:36
お名前 : SSI [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
SiO2、Al2O3などの組成式での数字は一般的に自然数ですが、一部、TaN0.1のように小数になる場合があります。どのような場合に小数となるのでしょうか。どのような、結構構造なのでしょうか。
 
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[2058] Re:組成式での小数 2011-02-09 14:01:42
お名前 : 結晶成長担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
IUPAC、JISでは小数点表記を規定していません。従って、小数点表示にはルールがないようです。ではどんな場合に使用されているかと言うと、
(1)Si3N4をSiN1.33とする場合。
 化合物の一方の係数を1とした表記。
(2)FeOとFe2O3の両相が混在する場合。
 混合比によりFeOxのxは様々な値をとります。
(3)非晶質〜微結晶物質の場合
 化学分析による組成比(モル比等)をそのまま化学式として表記。
(4)Si結晶にGeやCをドーピングした場合
 エピタキシャル成長法では不飽和状態の単結晶層を形成することができます。この時は飽和比になるまでならあらゆる比率の化合物を作成できます。
 
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[2059] Re:組成式での小数 2011-02-10 00:02:04
お名前 : SSI [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
結晶成長担当さん、ありがとございます。

>(1)Si3N4をSiN1.33とする場合。
> 化合物の一方の係数を1とした表記。
のもあるのですね。その他も非常に参考になりました。

 
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[2060] Re:組成式での小数 2011-02-10 16:20:48
お名前 : HAL [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
> (4)Si結晶にGeやCをドーピングした場合
> エピタキシャル成長法では不飽和状態の単結晶層を形成することができます。
> この時は飽和比になるまでならあらゆる比率の化合物を作成できます。

例えば、SiCは100種以上の多形結晶構造がありますが、すべてSiとCの2重層の積層構造をしています。あらゆる比率の化合物という意味が理解できません。どんな構造イメージなのか教えてください。
 
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[2061] Re:組成式での小数 2011-02-16 23:55:02
お名前 : 結晶成長担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
>> (4)Si結晶にGeやCをドーピングした場合
組成式という意味では(4)は除外すべきかも知れません。例えば、ダイヤモンド構造をもったSi結晶を構成するSi原子の一部をC原子に置き換えることができます。当然この時の構造はダイヤモンド構造であり、Si:C積層構造と呼ぶにはC原子数が希薄すぎると言うことができます。SiC0.01と言う表記はSi結晶格子を構成する原子の1%がC原子に置換した状態という意味です。
 
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