全反射蛍光X線(TXRF)においてX線の入射角度によって検出強度が変化しますが、不純物の付着形態(フィルム状、塊状など)によって検出強度の入射角度依存性が変化したと思います。1990年頃に文献が報告されていたように記憶していますが、文献が見つかりません。ご存知の方はお教え下さい。

>全反射蛍光X線(TXRF)においてX線の入射角度によって検出強度が変化しますが、不純物の付着形態(フィルム状、塊状など)によって検出強度の入射角度依存性が変化したと思います。1990年頃に文献が報告されていたように記憶していますが、文献が見つかりません。ご存知の方はお教え下さい。

以下の文献だと思います。
P. Eichinger, H. J. Rath and H.　Schwenke, “Application of Total Reflection X-ray Fluorescence Analysis for Metallic Trace Impurities on Silicon Wafer Surfaces,” Technology and Metrology, American Society for Testing and Materials, STP 990, 305 (1989).

付着形態(フィルム状、塊状など)によって検出強度の入射角度依存性がどのように変化するのでしょうか？

　付着形態(フィルム状、塊状など)による検出強度の入射角度依存性を模式的に書いた図を添付ファイルに示します。フィルム状またはSi基板表面層の汚染の場合は、全反射臨界角付近にピークが生じますが、パーティクル等ような塊状の場合は全反射臨界角より低い入射角度でもX線が検出されます。
　フィルム状の汚染についてはもう少し詳細に解析できたと思います。A.S.さんが紹介されている文献はすぐに入手できません。他の資料をご存知方は教えて下さい。

[1] R. Klockenkaemper, Total-Reflection X-ray Fluorescence Analysis (John Wiley & Sons, New York, 1997), 65 (1997).
[2] 気相分解/全反射蛍光X線分析法によるシリコンウェハー上の軽元素分析
山上基行, 野々口雅弘, 山田隆, 庄司孝, 宇高忠, 森良弘, 野村惠章, 谷口一雄, 脇田久伸, 池田重良, 分析化学, 48, 1005-1011 (1999).
[3] A. Shimazaki, K. Miyazaki, T. Matsumura and S. Ito, “Analysis of Low Metallic Contamination on Silicon Wafer Surfaces by Vapor-Phase Treatment and Total Reflection X-ray Fluorescence Analysis,” Jpn. J. Appl. Phys. 45, 9037 (2006).

A.S.さん、ありがとうございます。[3] 文献を入手して勉強します。