最近、我が社でも、ＳｉＣやGaNの研究を進めておりますが、
基板のSiCやGaNの品質により、歩留まりが大きく変わります。
基板の欠陥の影響が大きいと感じているのですが、
基板の欠陥密度の評価方法や、欠陥密度と電気的特性の
関係を調べる方法を探しています。
また、シミュレーターでの検証も検討しています。
評価方法と、シミュレーションモデルに関する情報を
教えていただければありがたい思っています。
よろしくお願いいたします。