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[2232] XPSにおける分析可能時間 2011-10-07 14:20:25
お名前 : XPS担当 [ホームページ] カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術
XPS装置を担当する者ですが、一般的な感覚を知りたくて質問致します。

最近当施設に導入したXPS装置をテストしている時に、SiやSiO2試料をArイオンビームでクリーニング後、20分程度放置すると、顕著にC 1sのピークが現れています。また、UPS測定スペクトル形状が変化していました。デプスプロファイルを取る時など、検出限界程度の成分を検出するために積算回数を増やすなど行うと思いますが、上記の現状を知ってしまうといたずらに回数を増やす(時間をかける)ことは再付着元素を見ていることにもなると思います。

そこで周辺に比較対象装置がないので質問致しますが、
?SiやSiO2で、20分程度の放置でC 1sが現れるのは装置が悪いか普通のことか(ゲージの真空度は、-7乗Pa台の前半)。
?一般的な半導体デバイスに用いる材料を分析する場合Arスパッタ後どのくらいの時間内に分析を終えなくてはいけないか。

細かい根拠はなくても感覚的な話で結構ですからお教え頂きますと幸いです(複数のご意見希望)。
 
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題名 お名前 投稿日付 No. カテゴリー
 XPSにおける分析可能時間 XPS担当 2011-10-07 14:20:25 2232 計測分析技術
  └ Re:XPSにおける分析可能時間 EUPS 2011-10-19 21:44:17 2233  
    └ Re:XPSにおける分析可能時間 XPS担当 2011-10-20 15:15:42 2234  


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