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[2060] Re:組成式での小数	2011-02-10 16:20:48
お名前 : HAL [ホームページ]	カテゴリー : 【計測分析技術の話題】【計測分析技術】
> （４）Si結晶にGeやCをドーピングした場合 >　エピタキシャル成長法では不飽和状態の単結晶層を形成することができます。 > この時は飽和比になるまでならあらゆる比率の化合物を作成できます。例えば、ＳｉＣは100種以上の多形結晶構造がありますが、すべてSiとCの２重層の積層構造をしています。あらゆる比率の化合物という意味が理解できません。どんな構造イメージなのか教えてください。
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題名	お名前	投稿日付	No.	カテゴリー
★ 組成式での小数	SSI	2011-02-08 10:51:36	2057	計測分析技術
└ Re:組成式での小数	結晶成長担当	2011-02-09 14:01:42	2058
└ Re:組成式での小数	SSI	2011-02-10 00:02:04	2059
└ Re:組成式での小数	HAL	2011-02-10 16:20:48	2060
└ Re:組成式での小数	結晶成長担当	2011-02-16 23:55:02	2061

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メッセージ	>> （４）Si結晶にGeやCをドーピングした場合 >>　エピタキシャル成長法では不飽和状態の単結晶層を形成することができます。 >> この時は飽和比になるまでならあらゆる比率の化合物を作成できます。 > >例えば、ＳｉＣは100種以上の多形結晶構造がありますが、すべてSiとCの２重層の積層構造をしています。あらゆる比率の化合物という意味が理解できません。どんな構造イメージなのか教えてください。
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