( G3 ) プローブ:電子、分析対象:化学結合
分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
オージェ電子分光法 (Auger Electron Spectroscopy) |
AES, SAM | 電子ビームを照射したとき極表面から放出されるオージェ電子のスペクトルを測定することにより固体表面に存在する元素を分析する(走査型オージェ電子顕微鏡法:Scanning Auger Microscopy:SAMとも言われていたが、最近はあまりこの呼び方は使われていない) |
・固体表面の元素、組成 ・化学結合状態 ・組成の深さ方向分析 |
測定エリア:数nm~ 分析深さ:5nm以下 検出下限:%程度 |
・微小領域の組成分析(異物分析) ・微小領域の元素マップ ・バリア膜の深さ方向分析 ・配線膜の深さ方向分析 ・結晶粒界の偏析物評価 ・半導体デバイスの断面、表面形状 ・不良解析、故障解析 |
角度分解オージェ電子分光法 (Angle-resolved Auger Electron Spectroscopy) [オージェ電子分光法の詳細説明にリンクします] |
ARAES | オージェ電子分光法(AES)で検出するオージェ電子をアナライザ仰角を変えて測定することで深さ方向の元素・化学状態プロファイルを得る(AES、ARXPSを参照) "・固体表面の元素、組成 |
・化学結合状態 ・組成の深さ方向分析 |
エリア:数nm~ 分解能: 分析深さ:5nm以下 検出下限:%程度 |
・ARXPS(C2, C3, C10)の適用例を参照(ARXPSに比べ報告例が少ない) |
電子エネルギー損失分光法 (Electron Energy Loss Spectroscopy) |
EELS | 入射電子が試料を構成する電子と相互作用する際に生じるエネルギー損失量に応じて分光する | ・組成、結合状態 |
エリア:数nm~数十μm 空間分解能:0.2nm~0.3nm (電子線源に依存) |
・不良箇所の元素分析 ・バンド状態 ・化学結合状態 ・局所構造解析 |