![[TSC]つくば半導体コンソーシアム](/img/map_image.jpg)
( C3 ) プローブ：X線、分析対象：化学結合
| 分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
| 角度分解X線励起光電子分光法 (Angle Resolved X-ray Photoelectron Spectroscopy) |
ARXPS | X線を試料表面に照射し、放出されるエネルギーから、試料表面元素の定性・定量を行なう |
・試料表面の元素の定性、定量 ・化学結合状態分析 ・主成分元素の深さ方向分布、化学結合状態の深さ方向分析 |
エリア：数十nm～数mm 深さ：数nm～10nm 感度：0.1%程度 |
・薄膜の深さ方向の組成 ・化学結合状態分析（high-kなど） |
| Ｘ線吸収微細構造法 (X-ray Absorption Fine Structure) |
XAFS | 特定の原子にＸ線を照射し、原子の内核軌道電子を非占有軌道以上のエネルギー状態に励起することにより得られる吸収スペクトル励起状態とエネルギーによりXANES（X-ray Absorption Near Edge Structure:Ｘ線吸収端構造）やXAFS（Extended X-ray Absorption Fine Structure: 拡張X線吸収微細構造）と呼ばれる |
・化学状態分析、酸化数、対称性 ・特定原子種の局所構造（結合距離、配位数） |
深さ：10nm～数cm 感度：wt%～10ppm 濃度：0.01mol dm-3 aq. |
・high-k材料の化学状態分析、局所構造 ・基板上のエッチング残渣 ・パッケージング材料の微量元素分析（環境対策、規制対策） |
| X線光電子分光法 (X-ray Photoelectron Spectroscopy) |
XPS | X線を試料表面に照射し、放出される電子のエネルギーから、試料表面元素の定性・定量を行なう |
・試料表面の元素の定性、定量 ・化学結合状態分析 ・バンドダイアグラム ・主成分元素の深さ方向分布，化学状態深さ方向分析＠イオンスパッタ |
エリア：数十nm～数mm 深さ：数nm～10nm 感度：0.1%程度 |
・基板や配線材料など表面の化学結合状態分析 ・ゲート絶縁膜の深さ方向分析 ・ゲート絶縁膜と基板のバンドダイアグラム（ゲート絶縁膜と基板、容量絶縁膜と電極） |