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( G6 ) プローブ：電子、分析対象：歪・ストレス

分析手法 略号 分析原理 得られる情報 分析感度・スペック 適用例
収束電子線回折法
(Convergent Beam Electron Diffraction)		 CBED 透過型電子顕微鏡にて、円錐状に絞った電子線を試料に照射し得られる回折(CBED)パターンのHOLZ線位置を、シミュレーションパターンと比較する ・結晶格子の歪み量
・結晶欠陥
・試料厚さ
・結晶対称性 		歪み分解能：0.01%
空間分解能：20nm@200nmt
試料厚さ：500nm以下 		・基板の結晶歪みや欠陥評価
(チャネル領域や素子分離構造に関する歪み)
・イオン注入による欠陥評価
電子線後方散乱回折法
(Electron Backscatter Diffraction)，
電子後方散乱パターン
(Electron BackScattering Pattern)		 EBSD, EBSP 電子線を照射した際に発生する反射電子の回折パターンから、照射位置の結晶面方位を得る ・結晶の面方位、粒径、配向性、歪
・ミスオリエンテーション角、粒界性格、対応粒界、粒界のΣ値 		空間分解能：20nm～
深さ分解能：50nm～
方位分解能：0.5°～ 		・Cu配線、Al配線、シリサイド、ポリシリコン、リードフレームめっき膜などの結晶解析
・配線信頼性故障箇所(エレクトロマイグレーション、ストレス誘起ボイド)
・Snウイスカ発生箇所での平面/断面での結晶解析
ナノビーム電子回折法
(Nano Beam Electron Diffraction)，
ナノビーム回折法
(Nano Beam Diffraction)		 NBED, NBD 平行な電子線(10nmφ)を試料に照射、得られた回折パターンの輝点間距離を測定 ・結晶構造
・結晶格子の歪み量 		空間分解能：10nm
試料厚さ：＜300nm
歪み分解能：0.1% 		・ゲート電極や素子分離構造に起因する結晶歪み評価
・金属やシリサイドの結晶構造評価