![[TSC]つくば半導体コンソーシアム](/img/map_image.jpg)
( G11 ) プローブ：電子、分析対象：材料物性（磁気特性）
| 分析手法 | 略号 | 分析原理 | 得られる情報 | 分析感度・スペック | 適用例 |
| 電子線ホログラフィ法 (Electron Beam Holography, Electron Holography) |
試料を透過しない電子線と試料を透過した電子線を干渉させることで、試料により生じる位相差を可視化する。干渉には電子線バイプリズムを利用する |
・視野内のポテンシャル差 ・電位差、電磁場、試料厚さ |
エリア：数nm～数μm 空間分解能：0.1nm～数nm(試料状態に依存) |
・拡散層の観察 ・試料内の磁区構造 ・真空中の磁場分布 |