[TSC]つくば半導体コンソーシアム

( C9 ) プローブ：X線、　分析対象：サイズ・膜厚

分析手法	略号	分析原理	得られる情報	分析感度・スペック	適用例
蛍光Ｘ線分析法 (X-ray Fluorescence Analysis, Fluorescent X-ray Analysis)	XRF	試料にＸ線を照射し、試料から発生する蛍光Ｘ線の波長（エネルギー）と強度を測定し、定性・定量分析を行う	・膜厚測定・組成分析	測定エリア：0.1mm～40mmφ 深さ：0.1nm～数μｍ定性分析：Be～U 定量分析：ppm	・BPSG膜の膜厚・組成分析・P doped Poly-SiのP濃度分析・高・強誘電体薄膜の膜厚・組成分析(HfOx膜、PZT膜等) ・WSix膜の膜厚・組成分析・裏面電極用多層膜の膜厚分析(Au/Ni/Ti等) ・磁気ディスク・ヘッド用多層膜の膜厚分析・DLC膜のカーボン膜厚分析
X線反射率分析法 (X-ray Reflectometry Analysis)	XRR	試料にX線を低角入射させ、反射するX線を測定することによって、試料表面の薄膜構造を分析する	・膜厚・密度・表面・界面粗さ	膜厚：1nm～1000nm 粗さ：＜2nm 密度：＞1.0g/cm³	・SiGe、SiC膜厚・High-k／メタルゲート膜厚・シリサイド膜厚・キャパシタ絶縁膜膜厚・強誘電体膜膜厚・層間絶縁膜密度・膜厚・配線層膜厚