[TSC]つくば半導体コンソーシアム

( C6 ) プローブ：Ｘ線、分析対象：歪・ストレス

分析手法	略号	分析原理	得られる情報	分析感度・スペック	適用例
X線回折法 (X-ray Diffraction)	XRD	試料にX線を照射し、回折したX線から、結晶構造の解析や未知試料の同定分析を行う	・単結晶基板や単結晶薄膜の結晶方位・薄膜の組成や結晶性、配向性	分解能：⊿d/d=0.0001～0.01%（ｄ：結晶の面間隔）膜厚：数10nm以上	・基板結晶の結晶方位・シリサイド膜組成・配線メタル膜配向性・高・強誘電体膜の結晶性・化合物半導体の結晶性、組成、（膜厚）