[TSC]つくば半導体コンソーシアム

( C4 ) プローブ：X線、分析対象：欠陥（密度・準位）

分析手法	略号	分析原理	得られる情報	分析感度・スペック	適用例
Ｘ線散漫散乱法 (X-ray Diffuse Scattering)	XDS	均一な物質（媒質）中に分布している微粒子や空孔の電子密度が媒質と異なることによって生じるX線散漫散乱を分析する	・物質（媒質）中の粒子または空孔の粒径（空孔径）分布	粒径（空孔径）：1～100nm	・層間絶縁膜（Low-k膜）中の空孔サイズ分布
X線回折トポグラフ法 (X-ray Diffraction Topography)	XRT	回折X線強度のマッピング画像を撮影する事により、結晶内の欠陥や歪みなどの分布や形状を2次元画像情報として観察する方法	・単結晶材料における結晶欠陥（各種転位、スリップ、クラック、加工キズ、積層欠陥、析出物等々）の分布・形状を濃淡模様として表示した画像データ	エリア：数mm～300mmΦ 分解能：数μｍ～100μｍ定量化（数値化）：画像濃度の諧調データ（256諧調）	・シリコンウェハのスリップ観察・析出分布観察・デバイスプロセス起因の表層の微小欠陥・ヘテロエピ、P/P+エピなどのミスフィット転位・研磨によるマイクロクラック等のダメージ分布・単結晶基板（SiC、GaN、GaAs、Sapphire等）の各種転位（刃状転位、らせん転位、基底面転位）観察