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( A10 ) プローブ：電場、分析対象：材料物性（電気特性）

分析手法 略号 分析原理 得られる情報 分析感度・スペック 適用例
走査型静電容量顕微鏡法
(Scanning Capacitance Microscopy)		 SCM 試料に対して探針を走査し、探針と半導体との合成容量の変動の大きさからキャリア濃度を求め、2次元表示する ・活性化したドーパントの2次元分布
・ドーパントの濃度 		・測定エリア：
500nm×500nm～80μm×80μm
・面分解能：数十nm～
・深さ分解能：数nm～
・感度：1E15～1E20atoms/cm3 		・拡散領域の可視化
・拡散層のp/n 極性の判定
・不良箇所 (注入異常, リーク等) の拡散層形状評価
拡がり抵抗測定法
(Spreading Resistance Analysis)		 SRA Si基板を斜めに研磨し、研磨面に沿って2本の探針を押し当て抵抗を測定する ・深さ方向の抵抗率分布及びキャリア濃度分布 抵抗率：0.001～1000Ω・cm
キャリア濃度：1E13～1E20 /cm3
測定深さ：100nm～数百μm 		・ソース・ドレインなどイオン注入・活性化後のキャリア濃度分布
・エピ膜のキャリア濃度分布
走査型拡がり抵抗顕微鏡法
(Scanning Spreading Resistance Microscopy)		 SSRM 試料に対して探針を走査し探針に流れる電流を対数アンプで増幅し、抵抗値として計測、2次元表示する ・活性化したドーパントの2次元分布
・ドーパントの濃度 		・測定エリア：
100nm×100nm～80μmx80μm
・面分解能：数nm～
・深さ分解能：数nm～
・感度：1E15～1E21atoms/cm3 		・拡散領域の可視化
・Poly-Si ゲートのドーパントの可視化
・不良箇所 (注入異常, リーク等) の拡散層形状評価